SiC基片結(jié)晶質(zhì)量提高 SiC基片市場(chǎng)科銳占有較高份額
文章來源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2013-11-29
瀏覽次數(shù):次
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圓）的品質(zhì)在不斷提升。不僅是目前主流的直徑為4英寸（100mm）的產(chǎn)品，6英寸（150mm）產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷也越來越少。
美國科銳（CREE）在SiC基片市場(chǎng)上占有較高份額，從該公司在SiC國際學(xué)會(huì)“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日于日本宮崎縣舉行）上發(fā)表的內(nèi)容來看，截至2013年，LED燈管，功率元件用6英寸產(chǎn)品的微管密度在1個(gè)/cm2以下，平均水平為0.5個(gè)/cm2左右，口碑，較好時(shí)可達(dá)到0.01個(gè)/cm2。據(jù)估算，ROSH認(rèn)證，采用這種高品質(zhì)6英寸基片制作10mm見方的功率元件時(shí)，口碑，合格率高達(dá)98.7％。
科銳以直徑為4英寸的基片為例，企業(yè)資訊，LED照明企業(yè)，展示了其基底面位錯(cuò)（BPD）的密度。據(jù)科銳介紹，4英寸基片的基底面位錯(cuò)密度為56個(gè)/cm2。在基片內(nèi)17％的范圍里，基底面位錯(cuò)為0個(gè)，在78％的范圍里不到5個(gè)。
據(jù)悉，在基底面位錯(cuò)密度為56個(gè)/cm2的4英寸基片上層疊厚度為60μm的外延層時(shí)，LED球泡燈，基底面位錯(cuò)的密度會(huì)降至2個(gè)/cm2。
另外，產(chǎn)業(yè)資訊，質(zhì)量，與原來相比，還可以減少功率元件用SiC基片的貫通螺旋位錯(cuò)（TSD）密度。以前裸基片和外延基片（層疊外延層的基片）的貫通螺旋位錯(cuò)密度分別為955個(gè)/cm2和837個(gè)/cm2，照明資質(zhì)，現(xiàn)在分降至447個(gè)/cm2和429個(gè)/cm2，減少了約一半。
不僅是功率元件用SiC基片，電工照明，CE認(rèn)證，科銳還在從事LED用和高頻元件用SiC基片業(yè)務(wù)。LED用基片方面，6英寸產(chǎn)品的結(jié)晶缺陷密度在2010年為8個(gè)/cm2，車間照明，到2013年已經(jīng)低于2個(gè)/cm2。
高頻元件用基片方面，6英寸產(chǎn)品的微管密度目前為0.14個(gè)/cm2。這個(gè)水平在制作7mm見方的高頻元件時(shí)可實(shí)現(xiàn)96.3％的成品率。